GAIA瞬態(tài)電壓抑制器是一種二管形式的能保護(hù)器件簡稱TVS，有的文獻(xiàn)上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)GAIA瞬態(tài)電壓抑制器二管的兩受到反向瞬態(tài)能量沖擊時，它能以10-12秒量的速度，將其兩間的阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收?shù)千瓦的浪涌功率，使兩間的電壓箝位于一個預(yù)定值，地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受浪涌脈沖的損壞。由于GAIA瞬態(tài)電壓抑制器具有響應(yīng)時間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易、無損壞限、體積小等優(yōu)點，目前已應(yīng)用于計算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、電源、家用電器等各個領(lǐng)域。GAIA瞬態(tài)電壓抑制器具體有以下三大特點：
1、將GAIA瞬態(tài)電壓抑制器二管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機(jī)因瞬間的肪沖，如靜電放電效應(yīng)、交流電源之浪涌及開關(guān)電源的噪音所導(dǎo)致的失靈。
2、靜電放電效應(yīng)能釋放過10000V、60A以上的脈沖，并能持續(xù)10ms；而一般的TTL器件，遇到過30ms的10V脈沖時，便會導(dǎo)至損壞。利用GAIA瞬態(tài)電壓抑制器二管，可吸收會造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開關(guān)所引起的干擾（Crosstalk）。
3、將GAIA瞬態(tài)電壓抑制器二管放置在信號線及接地間，能避免數(shù)據(jù)及總線受到不必要的噪音影響。
GAIA瞬態(tài)電壓抑制器的特及主要參數(shù)
1、GAIA瞬態(tài)電壓抑制器的特曲線
TVS的電路符號與普通穩(wěn)壓二管相同。它的正向特與普通二管相同；反向特為的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用下，流過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時，其兩呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn)，流過TVS的電流達(dá)到峰值脈沖電流IPP。在其兩的電壓被箝位到預(yù)定的zui大箝位電壓以下。爾后，隨著脈沖電流按指數(shù)衰減，TVS兩的電壓也不斷下降，zui后恢復(fù)到起始狀態(tài)。這就是TVS抑制可能出現(xiàn)的浪涌脈沖功率，保護(hù)電子元器件的整個過程。
2、GAIA瞬態(tài)電壓抑制器的特參數(shù)
①zui大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM：VWM是TVSzui大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓，當(dāng)這個反向電壓加入TVS的兩間時，它處于反向關(guān)斷狀態(tài)，流過它的電流應(yīng)小于或等于其zui大反向漏電流ID。
②zui小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR：VBR是TVSzui小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導(dǎo)通的。當(dāng)TVS流過規(guī)定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩間的電壓為其zui小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和平共處±1VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±1VBR來說，VWM=0.81VBR。
③zui大箝拉電壓VC和zui大峰值脈沖電流IPP：當(dāng)持續(xù)時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩間出現(xiàn)的zui大峰值電壓為VC。它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映了TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2——1.4之間。
④電容量C電容量：C是TVS雪崩結(jié)截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。
⑤zui大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的zui大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗脈沖波形和TVS的PM值，請查閱有關(guān)產(chǎn)品手冊。在給定的zui大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復(fù)的，器件規(guī)定的脈沖重復(fù)頻率（持續(xù)時間與間歇時間之比）為0.01%，如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復(fù)脈沖，應(yīng)考慮脈沖功率的“累積”，有可能使TVS損壞。
⑥箝位時間TC：TC是從零到zui小擊穿電壓VBR的時間。對單TVS小于1×10-12秒；對雙TVS小于是1×10-11秒。
